(一)溅射靶材产品示例
1.金属靶材
单金属 | 通用金属 | Al、Bi、Co、Cr、Cu、Fe、Ge、Hf、In、Mg、Mn、Mo、Pb、Sb、Sc、Si 、Sn、Ta、Ti 、V、W、Y、Zn、Zr |
贵金属 | Ag、Au、Ir、Pd、Pt、Rh、Ru | |
稀土金属 | Ce、Dy、Er、Eu、Gd、Ho、La、Lu、Nd、Pr、Sm、Tb、Tm、Yb | |
合金 | Co-Fe-B、Fe-Co、Ni-Cr、Mn-Ga等。 | |
2.精细陶瓷靶材

氧化物 | Al2O3、MgO、SiO2、TiO2、ZnO、La2O3、Ta2O5、Nb2O5、Mn3O4、SrRuO3、ITO(In2O3-SnO2)PZT(PbZrTiOx)、STO(SrTiO3)、LiCoO2、Li4Ti5O12、Li3PO4、其他氧化物 |
碳化物 | SiC、B4C、WC、TaC、TiC |
其他化合物 | 氮化物、氟化物、磷化物、硫化物、硒化物 |
3.标准规格

(二)高纯度材料
1.各种高纯度金属制品
高纯度金属靶
Al | ~6N | Mn | ~4N |
Co | ~4N5 | Sn | ~5N |
Cu | ~6N | Ti | ~5N |
In | ~5N | Zn | ~5N |
Mg | ~4N5 | 其他各种合金 | |
Ti材料阵容示例 | |
纯度 | 3N,4N,5N |
尺寸 | φ25.4~φ300mm(如需φ300及其他形状,请联系我们) |
2.高纯度Mg
本公司已经建立了高纯度镁的技术。我们使用这种高纯度镁提供溅射靶材。

3.高纯度Mn
由于Mn易脆,因此很难实现靶材的高纯度化。通过优化制造条件,我们实现了高纯度Mn靶材。

元素 | 高纯度Mn 4N | 普通Mn 2N8 |
Ca | ND※ | ND※ |
Cr | 20 | 130 |
Fe | 30 | 1400 |
Mg | ND※ | 70 |
Si | ND※ | 10 |
4.其他合金Co-Fe-B
Co-Fe-B由于脆性,通常作为烧结工艺制备的材料。我们公司已经建立了低氧化的熔融法技术,并通过高纯化技术实现了高纯度的靶材。Co-Fe-B的成分比例,以及作为Co-Fe-B-α添加第四元素等,都可以根据客户的需求进行定制。

(三)介电材料·压电材料
1.MEMS材料例
栅极绝缘 | La2O3、HfO2、Y2O3、HfO2-Al2O3 |
压电体 | PZT、PNZT、PLZT、PLT、PMN-PT、PNN-PZT、NaNbO3、KNbO3、KNN、BNT、BFO |
高介电质 | (BaSr)TiO3、SrTiO3 |
电极 | Pt、Ir、Ru、RuO2、SrRuO3、LaNiO3、(LaSr)CoO3、Ti、TiN、TiOx、Ta |
典型的MEMS(悬臂梁)构造图
2.PZT、PNZT
我们可以提供含氧量低、结晶性良好的产品。
PZT靶材
PNZT: Nb掺杂PZT靶材
3.高密度SrRuO3
SrRuOx(SRO)是在以BST或PZT为电容器的FeRAM中用作下电极的材料。已知使用SRO作为下电极可以比使用Pt电极提高电介质特性。此外,预计在工艺加热过程中,由于与电介质膜反应造成的劣化,会比Pt电极少。我们公司通过独特技术开发出了高密度SRO(SRO-HD),能够抑制颗粒的生成,实现稳定的薄膜沉积。

4.非铅高介电/压电
我们可以供应多种无铅压电材料。
我们开发并提供稳定且晶体化的(K, Na)NbOx (KNN) 靶点。

材料 | KNN |
对应比例 | (KxNa1-x)NbO3 |
尺寸 | φ50~φ300mm |
厚度 | t3~t10mm |
密度 | Ave.3.7g/㎤ |
杂质 | Ca、Fe、Mn、Si、Ta<100ppm |
正极材料 | LiCoO2、LiFeO2、Li2MnO3、LiFePO4、LiCoPO4、LiMnPO4、LiMn2O4、Li(NiMn)2O4 |
固体电解质 | Li3PO4、(LiLa)TiO3、Li2B4O7 |
负极材料 | LiNbO3、Li2TiO3、Li4Ti5O12 |
2.太阳能电池材料例
防反射膜 | MgF2、SiN、TiO2、SiO2 |
透明电极层 | GZO、ITO、IZO、TiO2-Nb |
缓冲层 | ZnO、ZnS、AZO |
光吸收层 | CIS、CGS、CIGS、CAS、CZTS、S and/or Se化物、其他复合材料 |
电极 | Ag、Al、Mo |
3.二次电池材料
我们制造构成二次电池的各种材料,包括正极材料、负极材料和固体电解质等。作为薄膜锂电池材料,我们提供溅射靶、片剂和成型烧结体。各种形状、组合及定制服务,欢迎咨询。
NbO靶材
| 产品 | 纯度 |
| SnO2 | ~4N |
NbOx | 3N |
TiO2 | ~4N |
MgF2 | 3N |
ZnS | ~4N |
我们处理用于透明电极和非晶氧化物半导体的靶材和片材。
In2O3-SnO
我们制造用于形成SAW滤波器(声表面波滤波器)的靶材。
从纯铝到定制成分的铝合金材料,我们都能广泛提供。

| 产品 | 纯度 |
| Ag | ~4N |
| Al | ~5N |
| Mo | ~3N7 |
| ZnS | ~4N |
电压材料 | LiTaO3、LiNbO3、AlN |
电极 | Al、各种Al合金、Mo、W |
保护膜 | SiO2 |
磁性层 | Co-Fe-B、Co-Fe、Tb-Fe-Co、Ni-Fe、Ni-Fe-Co、Co/Pt、Fe/Pt、Mn-Ga等Mn合金、Co2(FeMn)Si等Co基全赫斯勒合金 |
阻挡层 | MgO、Mg |
非磁性层 | Ag、Ag合金 |
间隔层 | Ru、Cu、Ta |
反铁磁层 | Ir-Mn、Pt-Mn |
电极 | Cr、Au、Ru、Ta |
MgO是下一代HDD介质的模板层、TMR磁头以及MRAM等磁性器件不可或缺的功能性材料。自2002年起,我公司便率先开始开发和生产适用于TMR元件的溅射靶,并供应以“高纯度”“高密度”“低颗粒”为特点的MgO靶。
MgO靶材・镜面抛光品
Co合金是一种用于各种磁性设备的材料。我们公司不仅提供Co-Fe-B靶材,还在各种成分的Co合金靶材方面有丰富的经验。
例:Co-Fe、Co-Fe-α、Co-Ni、Co-Zr-Nb、Co-Zr-Nb-Ta等

全赫斯勒合金 X₂YZ 是一种有望应用于 MRAM(磁阻随机存取存储器)、磁传感器等磁器件的材料。过去,我们一直提供烧结靶材,但由于靶材与薄膜之间存在成分偏差等原因,其应用范围受到了限制。
此外,根据磁性层等特定应用需求,市场对低氧含量产品的需求也日益增加。熔融法靶材有望解决烧结靶材的上述问题。

我们利用烧结工艺和熔融工艺,制造作为新型磁性层材料备受期待的各种Mn合金靶材。这些材料中许多具有脆性,因此多为通过烧结工艺制备的材料。 另一方面,由于应用于磁性层,也有许多客户提出低氧规格产品和靶材大型化的需求。为了实现以各种熔融制靶材提供的目标,我们持续进行挑战。
我们现提供作为无贵金属・无稀土磁性材料近来备受关注的锰合金熔融法大尺寸靶材。

纯度 99.9%以上(Fe<30ppm、Si<30ppm、Cu<20ppm)
铱锰(Ir-Mn)合金被应用于MRAM(磁阻随机存取存储器)中的反铁磁性层薄膜,该材料具备非易失性和改写次数无限制这两大核心优势。
我司已成功确立了熔融法靶材的制备工艺,并实现了低氧含量的目标。与市面上通用的烧结法靶材相比,我们的产品能够有效防止因氧含量过高而对其他结构层产生的负面影响。

依托多年来在溅射靶材与键合(焊接)技术领域的积累,我们现已能够制造出可满足各类需求的背板。
我司提供的背板(用于粘贴溅射靶材的底座),可根据客户的具体用途,精心精选无氧铜及各类铜合金、钢、不锈钢、铝及铝合金、以及钼、钛等材质。
同时,我们对不同材质的组合搭配也提供全方位支持,并会从提升客户使用便捷性的角度出发,为您提供优化改进方案。

我们的产品尺寸范围广泛,从用于研究用途的φ1 英寸左右的小型背板,到超过 2 米的第 7 代 LCD 面板用大型溅射靶材背板皆可制作。产品涵盖圆形、方形及异形等多种形状,且支持单片起订。
对于内部水冷型背板,我们采用了钎焊、电子束焊接、扩散连接等多种接合工艺,可根据制造流程和客户需求灵活选用。
关于材质、形状的选择及各项优化改进方案,敬请垂询15000561400。
此外,如需新制做背板,请向我们提交图纸,或提供实物供我们测量。我们将从尺寸测量开始,为您完成图纸设计工作。